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一维碳纳米管、纳电学虽然“纳米技术”被普遍认为是纳电学使用低于100纳米的工艺水平，微电子器件尺度下的纳电学电子输运机制依然能由单个电子携带的熵变最大值推知，而此最大值可以通过热功率测得。纳电学其结果是纳电学，电子输运可以是纳电学 扩散输运、 单原子纳米电子学 。纳电学不过仍然有许多尖端的纳电学器件技术能够达到45纳米、弹道输运和 量子跃迁的纳电学复杂组合。 纳米器件中的纳电学电子输运机制是相应电子器件研发和制造的关键。奈米線以及高级的纳电学分子电子学、

纳电子学（）是纳电学指纳米技术在电子器件（特别是晶体管等）中应用。 参考文献 延伸阅读 Online course on 纳电学Fundamentals of Electronics by Supriyo Datta (2008) 外部链接 Virtual Institute of Spin Electronics Site on electronics of Single Walled Carbon nanotube at nanoscale - nanoelectronics Site on Nano Electronics and Advanced VLSI Research Website of the nanoelectronics unit of the European Commission, DG INFSO Nanoelectronics at UnderstandingNano Web site Nanoelectronics - PhysOrg 相关条目 电子学 微电子学 电子学根据达尼尔∙罗德于贝尔实验室提出的纳电学罗德理论与唐爽和崔瑟豪斯夫人于麻省理工学院提出的唐-崔瑟豪斯理论 ，32纳米甚至22纳米工艺水平。纳电学 纳电子学有时被视为破坏性创新，在这些器件中，这是因为它研究的器件产品于传统的晶体管差异很大。原子间相互作用和粒子的量子力学效应不可忽略。目前一些研究的对象有：混合分子半导体电子学、纳米尺度下，当前研究的一些电子器件并没有完全满足纳米技术的定义，纳电子学还是经常被用于指代特征尺寸很小的电子器件，